Научно-методический журнал Серия: Естественно-технические науки. Социальные и экономические науки. Филологические науки


REZYUME . Ushbu maqolada matritsaning normal shakli matritsa polinomlarini bir nechta misollarda yechish orqali  tuzilgan.  РЕЗЮМЕ



Pdf көрінісі
бет22/231
Дата30.07.2023
өлшемі4,81 Mb.
#179664
1   ...   18   19   20   21   22   23   24   25   ...   231
Байланысты:
2-сан 2023 (1-серия)

REZYUME
. Ushbu maqolada matritsaning normal shakli matritsa polinomlarini bir nechta misollarda yechish orqali 
tuzilgan. 
РЕЗЮМЕ
. В статье нормальная форма матрицы Жордана строится путем решения матричных полиномов на 
нескольких примерах. 
SUMMARY.
In this article, the Jordan normal form of a matrix is constructed by solving matrix polynomials in several 
examples. 
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ 
ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiB
x
-n-SiC 6H 
А.Б.Камалов
– 
доктор физико-математических наук, профессор
С.К.Абдижалиев
– 
доктор философии по физико-математическим наукам 
Нукусский государственный педагогический институт имени Ажинияза 
Д.Абдуллаева – 
магистрант
Каракалпакский государственный университет имени Бердаха 
Taянч сўзлар
: кремний карбиди, Шоттки барьери, барьер баландлиги, ноидеаллик фактори.
Ключевые слова:
карбид кремния, барьер Шоттки, высота барьера, фактор неидеальности. 
Key words:
silicon carbide, Schottky barrier, barrier height, factor nonideality. 
В последние годы, несмотря на сложности техноло-
гии получения структурно-совершенного карбида 
кремния, интерес к исследованию полупроводниковых 
приборов, изготовленных на основе этого материала 
сильно возрос. Причиной этого являются уникальные 
свойства полупроводникового карбида кремния [1]. 
Отличительной особенностью диодных структур на 
основе карбида кремния является их высокая термиче-
ская и радиационная стойкость. Эффекты, обусловлен-
ные влиянием термообработок и воздействия на такие 
структуры высокоэнергетической ионизирующей ради-
ации хорошо изучены и учтены в технологии соответ-
ствующих карбидкремниевых приборов. Однако слабо 
изучены радиационные эффекты в карбидкремниевых 
приборных структурах при малых дозах радиационных 
воздействий. Тогда, как в технологии Si и GaAs прибо-
ров методы низкодозовых радиационных обработок 
нашли применение еще в 80-х годах прошлого века [2]. 
В качестве малодозовых воздействий ряд авторов ис-
пользовал сверхвысокочастотные обработки, которые 
по своим эффектам были аналогичны низкодозовым 
ионизирующим обработкам (γ-радиация, быстрые элек-
троны) [2, 3, 4]. В то же время практически не известны 
работы по влиянию сверхвысокочастотного излучения 
на свойства карбидкремниевых приборных структур, в 
том числе с барьером Шоттки. Поскольку последние 
представляют интерес для использования их в качестве 
активных элементов в сверхвысокочастотной электро-
нике, то исследование эффектов стимулированных ма-
лодозовыми 
сверхвысокочастотными 
обработками 
представляются интересными как с точки зрения экс-
плуатации приборов, так и технологической, как воз-
можность управления свойствами поверхностно-
барьерных структур.
В этой работе приведены результаты исследований 
карбидкремниевых диодных структур, обработанных 
сверхвысокочастотным излучением. Диодные структу-
ры изготавливались на массивном монокристалличе-
ском карбиде кремния n-типа (политип 6Н), выращен-
ном методом Лели. Толщина слоя TiB
x
была 80нм, Au-
100нм. Диаметр диодной структуры~200мкм.
Режим облучения осуществлялся в свободном про-
странстве при неизменном расстоянии от выхода вол-
новода до облучаемого образца. Частота облучения 2,45 
ГГц, удельная мощность ~1,5 Вт/см
2
. Интенсивность 
сверхвысокочастотного воздействия варьировалась из-
менением времени экспозиции. Температура разогрева 
образцов при данном типе и длительности обработки не 
превышала комнатной. До и после сверхвысокочастот-
ного облучения измерялись вольтамперные характери-
стики диодных структур, из которых рассчитывались 
высота барьера υ
В
и фактор идеальности n. На рис. 1. 
приведены прямые ветви вольт-амперной характери-
стики диода Шоттки до и после сверхвысокочастотного 
облучения. Видно, что вольт-амперные характеристики 
описываются зависимостью




Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   18   19   20   21   22   23   24   25   ...   231




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет