64 Борна учитывает лишь попарные взаимодействия ионов, в кристалле же
каждая частица связана силами электростатического притяжения не с одной
противоположно заряженной частицей, но по меньшей мере – с четырьмя и
более. Оказывает также влияние взаимное притяжение и удаленных частиц в
кристалле. При этом, разумеется, одинаково заряженные частицы
отталкиваются друг от друга, но в итоге баланс оказывается все же в пользу
сил притяжения: потенциальная энергия кристалла понижается в несколько
раз.
Очевидно, чем ниже потенциальная энергия кристалла, тем более
устойчиво его состояние, тем стабильнее его структура. В качестве
энергетической характеристики связи в кристалле оказалось удобнее
использовать не потенциальную энергию его, а энергию, отсчитываемую от
нуля до минимума потенциальной кривой (см. рис.47), она получила
название энергии кристаллической решетки
Е кр
.
Энергия кристаллической решетки – это количество энергии, которое
понадобилось бы для разложения одного моля кристаллического вещества на
составляющие его структурные единицы и удаление их на бесконечное
расстояние друг от друга.
В случае ионных кристаллов такими структурными единицами
являются ионы в узлах решетки. При образовании кристалла эта энергия
выделяется.
Энергия кристаллической решетки характеризует его устойчивость и
сопротивляемость внешним воздействиям. На рис.48 для примера приведена
зависимость температуры плавления от энергии кристалла для некоторых
галогенидов натрия.
Рис.48
Обратимся снова к потенциальной кривой для кристаллической
решетки (рис.47). Минимум кривой, соответствующий энергии кристалла,
приходится на некоторое расстояние, представляющее собой равновесное
расстояние между заряженными частицами
r AB . Это расстояние в общем
случае отличается от межъядерного расстояния в двухатомной молекуле: в