126
Рис. 2. 24. Cхема процесса перьевой нанолитографии. [6]
На зонд АСМ наносится
5
нм
вещество «чернил»
осаждением из пара
или погружением в раствор с последующей сушкой. Молекулы вещества
показаны волнистыми линиями. В атмосферных условиях на поверхностях
зонда и подложки всегда имеется несколько монослоев адсорбированной воды,
которые образуют мениск при контакте. Форма мениска зависит от
относительной влажности и смачивающих свойств подложки и зонда.
Молекулы осаждаемого вещества посредством диффузии переносятся через
мениск и осаждаются на подложке. Зонд движется,
вдоль подложки, создавая
рисунок. Возможно перетекание жидкости с зонда на образец под действием
капиллярных сил.
Молекулы «чернил» должны химически связываться с поверхностью
подложки, образуя упорядоченные самоорганизованные слои. Тогда
нанесенный рисунок прочен и не расплывается. Химическая связь образуется
между атомами серы
S
или селена
Se
и золотой
Au
подложкой.
В качестве «чернил» для золотых подложек используются 1-октадеканетиол
(ОДТ) и12-меркаптогексадеканоидная кислота (МНА).
Разрешающая способность
(минимальная ширина линий) зависит от
радиуса кривизны острия зонда, скорости движения зонда при записи,
относительной влажности. Минимальное расстояние между линиями
5
нм
.
Линии имеет ширину от 15 нм до нескольких сотен нанометров.
Рис. 2.25. Слева: «перьевая» запись молекулами МНА на поверхности золота. Справа: СЭМ-
изображение литографического устройства с 8 кантилеверами.[6]
127
На рис. 2.25 приведено изображение литографического устройства с 8
кантилеверами, изготовленного из единого монокристалла кремния методами
микроэлектронной технологии. Устройство дает ширину линий 60 нм
при
скорости записи 0,5 мкм/с, расстояние между кантилеверами -350 нм.
Существует наномеханическое устройство сверхплотной записи данных
«Miilipede» («Многоножка»). Плотность записи - 0,186 Тбит/см
2
, размер области
записи
2
6,3 6,3
мм
. Основной инструмент записи/чтения матрица содержащая
64 64
кантилевера с зондами информация хранится в виде последовательностей
мест с углублениями («1») и мест с их отсутствием(«0»). Углубления записаны
на полимерных пленках нанометровой толщины.
На рис. 2.26 приведена сканирующая электронная микрофотография чипа с
матрицей
32 32
кантилевера. На изображении чипа показаны нагревательные
элементы с каждой стороны матрицы и четыре температурных датчика в углах
матрицы. Они позволяют контролировать разность температур между матрицей
и средой в 1
о
С. На рис. 2.26
втором слева, увеличенное изображение секции
матрицы кантилеверов. На рис. 2.26 третьем слева, показаны ячейки отдельного
П-образного кантилевера. Справа зонд кантилевера в двух увеличениях.
Перекладина в П-образном кантилевере представляет собой нагревательную
платформу из высокоомного кремния. Светлой точкой отмечено расположение
зонда. Ноги П-образного кантилевера, это
x
- и
y
- выводы из низкоомного
кремния.
Способ записи – термомеханический. Через кантилевер создается локальное
давление на слой полимера и одновременно производится
локальный нагрев
полимера протеканием тока по П-образному кантилеверу.
В процессе записи на адресную строку в матрице кантилеверов на 20 мкс
подается отрицательное смещение, одновременно на столбцы подаются входные
данные от мультиплексора. Для «1» положительное смещение, для 0-земля, ток
идет через все кантилеверы строки. Фиксируют «1» только кантилеверы с
положительным смещением. Ток, идущий через заземленные кантилеверы,
недостаточен для размягчения резиста, и эти кантилеверы записывают «0».
В процессе чтения на адресную строку подается отрицательное смещение, а
на столбцы-земля (через предохранительный резистор 10 кОм) и кантилеверы
поддерживают слабо нагретыми. Во время сканирования измеряют напряжения
на резисторах, что позволяет считывать записанные данные.
128
Рис. 2.26. Слева направо: Увеличенное
изображение секции матрицы
32 32
кантилеверов,
ячейки отдельного П-образного кантилевера, Зонд кантилевера, и выше острие зонда. [6]
Достарыңызбен бөлісу: