Тлеющий разряд
жүктеу/скачать 0,69 Mb. Pdf көрінісі
|
Bolbukov-avtoreferat FIN(1)
|
Рис. 3. Зависимость толщины δ медных пленок от энергии быстрых атомов аргона Рис. 4. Зависимость толщины δ медных пленок, периодически бомбардируемых в течение 1 с атомами аргона с энергией 900 эВ, от длительности периода τ Адгезия медной пленки толщиной 140 нм повысилась до 2×10 7 Па, что в несколько раз выше по сравнению с пленкой толщиной 150 нм, осаждавшейся при непрерывной бомбардировке атомами аргона с энергией 100 эВ. При скорости осаждения 270 нм/ч толщина пленки, осаждаемой за 10 с, составляет 0.75 нм. А глубина проникновения атомов аргона с энергией 900 эВ в подложку и осаждаемую пленку на порядок больше. Атомы аргона в течение 1 с основательно перемешивают осажденный за 10 с слой сна- чала с материалом подложки, а затем с материалом ранее осажденных слоев металла. Это приводит к увеличению ширины интерфейса, улучшению адгезии пленки и моди- фикации ее свойств. В третьей главе описаны результаты экспериментальных исследований, направ- ленных на поиск путей повышения доли атомов металла в формируемом смешанном по- токе. Титановая мишень 1 (рис. 5) диаметром 160 мм и толщиной 10 мм на дне того же полого катода 2 диаметром 260 мм и глубиной 100 мм, что представлен на рис. 1, кре- пится к охлаждаемому водой 3 держателю 4 из стали 45, на котором можно установить магнит 5 . Источник питания 6 регулирует ток I к в цепи катода до 3А при напряжении U к между анодом 7 и катодом 2 до 0,7 кВ. Напряжение U м источника 8 ускоряет распы- ляющие мишень 1 ионы 9 из разрядной плазмы 10 до энергии 0,5–3 кэВ. Между анодом 7 и сеткой 11 из листа титана толщиной 1 мм приложено от источника 12 ускоряющее ионы 13 напряжение U с до 5 кВ. При столкновениях с атомами газа 14 ионы 13 превра- щаются в быстрые атомы 15 , бомбардирующие подложку 16 . Сетка соединена с камерой 11 17 через резистор 18 с сопротивлением R , варьируемым от 0,5 до 600 кОм. Ток в цепи камеры I кам образованных при перезарядке ионов 19 и проникающих через сетку в по- лый катод из вторичной плазмы 20 электронов индуцирует на резисторе 18 отрицатель- ный потенциал сетки, ограничивающий ток этих электронов в полый катод. При равных потенциалах мишени 1 и катода 2 плотность тока на мишени такая же, как на сетке, но с увеличением U м до 3 кВ из-за кинетической ионно-электронной эмиссии она возрастает в 1,8 раза. Сплошная кривая 1 на рис. 6 представляет радиальное распределение плотности ионного тока j i из плазмы 10 на дисковый зонд 21 , перемещающийся на расстоянии 40 мм от мишени (рис. 5), при U м = 1 кВ, U с = 0,7 кВ, давлении аргона жүктеу/скачать 0,69 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|