Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»



Pdf көрінісі
бет58/116
Дата06.02.2022
өлшемі5,96 Mb.
#81594
түріОқулық
1   ...   54   55   56   57   58   59   60   61   ...   116
Байланысты:
5ddcb76d5d423 1574745965

 
 
6.1-сурет. ОЖСҚ микросхемасының құрылымы 
КТ – кристалды таңдау, ЖР – жазбаға рұқсат ету 
Әр ЖЭ-ге нөмер беріледі (адрес). Қажет етілген ЖЭ табу үшін 
жинақтағыштағы ЖЭ қалпына сәйкес келетін жол мен баған 
көрсетіледі. ЖЭ адресі қосарланған сан түрінде адрес регистріндегі 
адрес шинасы бойынша қабылданады. Адрес разрядтарының саны 
жинақтағыщ сыйымдылығымен байланысты. Жинақтағыштың жол 
саны мен баған саны 2
п
-ге тең. 
Адрес регистрінің регистр разрядтары екі топқа бөлінеді: бір топ 
л
1
разрядтарынан тұрады, ЖЭ жинақтағышта орналасқан жолдың 
қосарланған нөмерін анықтайды, екінші топ п
2
разрядтарынан 
тұрады, таңдалған ЖЭ орналасқан бағанның қосарланған нөмерін 
анықтайды. Адрес разрядының әр тобы сәйкес дешифраторға 
беріледі: жол дешифраторы және баған дешифраторы. Бұл кезде 
деширатордың әрқайсысы өзінің бір шығыс тізбегінде «1» деңгейін 
(дешифратордың басқа шы,ыстарында «0» деңгейі орнатылады) 
құрады, таңдалған ЖЭ жол мен баған тізбектері бойынша бір 
уақытта «1» деңгейінің әсерінде қалады. Мазмұнын оқу кезінде ЖЭ 
оқу күшейткішіне және одан шығыс триггерге (Т) және микросхема 
шығысына беріледі. 


e(f)
Жазба режимі сигналдың жазбаға рұқсат беретін (ЖР) кіріске 
берілуімен орнатылады. ЖР кірісіндегі деңгей «0» кезінде жзба 
күшейткіші ашылады, деректер кірісінен ақпарат таңдалған ЖЭ-ге 
түседі де онда сақталады.
Көрсетілген үдерістер кристалды таңдау (КТ) кірісінде «0» 
белсенді деңгейі әрекет еткен жағдайда орындалады. Бұл кірісте «1» 
деңгейі болғанда дешифратордың барлық шығыстарында «0» деңгейі 
орнатылады және ЖР сақтау режиміне түседі.
ОЖСҚ микросхемалары разрядтылықты өсірумен және санды 
өсірумен жад сыйымдылығының өсуіне қол жеткізеді. Сөйтіп 
микросхемаларды 
сәйкесінше 
санын 
олардың 
белгілі 
бі 
қосындысында пайдаланып, қажетті деңгейде ұйымдасқан жад 
құруға болады.
Заманауи компьютерлердің оперативті жадының ең көп таралған 
типі болып DDR табылады. 
DDR SDRAM
(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random 
Access Memory) — кездейсоқ қолжетімді және деректерді еселенген 
жылдамдықта беретін синхронды динамикалық жад, есептеуіш 
техникаларында оперативті және бейне жад түрінде пайдаланылады. 
Ол SDRAM жадын ауыстырды. 
Жұмыстың қосарланған жылдамдығына SDRAM-дағы фронт 
бойынша ғана емес, тактілік сигналдың түсуі бойынша да деректер 
мен командалар есебінен қол жеткізіледі. Осының арқасында 
деректерді беру жылдамдығы жад шинасының тактілік сигналының 
жиілігі артпай-ақ еселенеді. Сөйтіп, DDR жұмысы кезінде 100 МГц 
жиілігінде 200 мГц тиімді жиілігін алады.
DDR 2,5 В жұмыс кернеуіне ие (әдетте процессор қозғалысы 
артқанда көбейеді) және жадтың қарастырылып отырған түрлерінен 
электр энергиясының шағын тұтынушысы болып табылады. Жадтың 
бұл типі одан әрі дамыды.
DDR2 — заманауи компьютерлерде пайдаланылатын жадтың ең 
көп таралған түрі. Бұл оперативті жадтың ең ескі де түрі емес, бірақ 
ең жаңа да түрі емес. DDR2 DDR-ге қарағанда тез жұмыс істейді
алдыңғы үлгіге қарағанда деректерді беру жылдамдығы да тез. DDR2 
1,8 В тұтынады, DDR секілді әдетте процессор қозғалысы артқанда 
кернеуі де өседі. 
DDR3 —DDR2-дің одан ары қарай дамытылған түрі болып 
табылатын оперативті жад типі. Жад 240 контактілі және контакт 
жолағындағы бір аралықты (жүйелік тақтадағы модульдің жалғыз 
дұрыс қалпын орнатуға арналған кілтті) DIMM-модуль түрінде 
орындалады. Модульдер өзара көлемі мен өткізгіш қабілетіне қарай 
ерекшеленеді. DDR3 типінің жады DDR2 –мен салыстырғанда 
энергияны шамамен 30...40% -ға аз тұтынады, бұл қорек кернеуінің 




Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   54   55   56   57   58   59   60   61   ...   116




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет