На рис. 8.3 изображена схема импульсного (ключевого) зарядного устройства на основе микросхем МАХ712, МАХ713. В данном случае вывод СС усилителя ошибок используется как компаратор. В отличие от линейного зарядного устройства напряжение источника питания для него выбирают из такого расчета, чтобы оно на 2 В превышало максимальное напряжение на
Рис. 8.3. Принципиальная схема импульсного зарядного устройства на основе
МАХ712, МАХ713
элементе. Например, необходимо изготовить зарядное устройство на четыре никель-кадмиевых элемента. Напряжение конца заряда для них составляет 1,4 В. Напряжение источника выбирают из расчета 1,4 + 2 = 3,4 В/элемент. С учетом того, что элементов четыре, напряжение источника питания должно быть не менее 3,4*4= 13,6 В.
Приведенные выше схемы дают представление о том, насколько просто при наличии современной элементной базы можно изготовить зарядное устройство с высокими эксплуатационными характеристиками. На практике любая из этих схем, принятая за основу, «обрастает», добавляя зарядному устройству новые возможности, улучшая его и без того хорошие характеристики. Например, для того чтобы еще существенно снизить нагрев линейного зарядного устройства, используют ШИМ2-стабилизатор на основе сдвоенного таймера 1СМ7556. Вместо регулирующего транзистора можно включить микросхемы ключевого стабилизатора напряжения МАХ726. Это позволит увеличить ток заряда импульсного зарядного устройства до 5 А. Если немного доработать схему и ввести в нее микросхему таймера ICM7555, транзисторный ключ и светодиод с гасящим резистором, несложно
2 ШИМ — широтно-импульсная модуляция.
обеспечить индикацию заряда: в режиме быстрого заряда светодиод будет гореть непрерывно, а в режиме компенсирующего заряда мигать с заданной частотой.
Если зарядное устройство собирают «для себя» в кустарных условиях, достаточно приобрести необходимые детали, собрать и отладить устройство. Другое дело, если требуется изготовить серию подобных устройств или серии устройств с близкими характеристиками, но разными характеристиками. В этом случае значительно сэкономить время позволит выпускаемый той же фирмой, что и микросхемы зарядных устройств, комплект разработчика или, как его называют в иностранной литературе Development Kit, Evaluation Kit.
Такой комплект представляет собой готовую плату, на которой смонтированы детали зарядного устройства, установлены переключатели, позволяющие изменять его режимы работы. Комплекты могут выпускаться для одной микросхемы, а могут и для нескольких сходных по параметрам микросхем. На фото 8.1 показан комплект разработчика (Fast Charge Development System) DV2004L1 для создания зарядных устройств на основе микросхемы bq2004 — очень популярной у производителей электронной техники.
Почему так популярна bq2004? На основе этой микросхемы создают зарядные устройства скоростного заряда для никель-кадмиевых и никель-металлгидридных аккумуляторных батарей в основном используемых в бытовой и профессиональной технике подвижной связи, в других приложениях. Заряд в таких устройствах протекает в два этапа: скоростной заряд и после него выравнивающий или компенсирующий заряд. Величина зарядного тока программируется и может составлять от С/4 до 4С. Но главное — очень четкое прекращение процесса заряда практически по всем возможным характеристикам заряда: по скорости нарастания температуры ΔТ/Δt, по пиковому напряжению на батарее, по кратковременному спаду напряжения -ΔV/Δt, по максимальному напряжению, по максимальной температуре, по сигналу таймера. Однако и это не все! Микросхема bq2004 обеспечивает индикацию скоростного и компенсирующего заряда, а также принудительный контрольно-тренировочный цикл, для запуска которого необходимо один раз нажать на кнопку. Сразу после этого зарядное устройство полностью разрядит аккумуляторную батарею, а затем зарядит ее вновь. Это очень удобно, и
146
Схемотехника зарядных устройств
Схемотехника зарядных устройств
147
Фото 8 1 Плата из комплекта разработчика DV2004L1 для создания зарядных устройств на основе bq2004
даже неподготовленному пользователю будет несложно устранить последствия эффекта памяти. Микросхема bq2004 имеет модификации, которые незначительно отличаются по параметрам: bq2004, bq2004E, bq2004H.
Микросхемы bq2004 выпускаются в 16-выводных корпусах двух типов: DIP — для монтажа в отверстие и SOIC Narrow (SN) — для поверхностного монтажа. Расположение выводов показано на рис. 8.4.
Рис 8.4. Расположение выводов микросхемы bq2004
По выводу DCMD (Discharge-befo-re-Charge Control Mode) происходит управле ние запуском контрольно-тренировочного цикла — глубоко заряда с последующим не медленным зарядом. Запуск осуществляется подачей на этот вывод отрицательного импульса. Он может быть принудительным, если между выводом и общим проводом включить, например, кнопку, а может быть и автоматическим, если этот вывод соединить непосредственно с общим проводом. В последнем случае при каждой установке аккумуляторной батареи на заряд она автоматически сначала будет разряжена, а по окончании цикла разряда немедленно заряжена.
По выводу DSEL обеспечивается управление индикацией — двумя светодиодами LED1 и LED2, подключаемыми к соответствующим выводам микросхемы, которые показывают состояние зарядного устройства. В зависимости от того, куда подключен вывод DSEL, можно включить один из трех режимов индикации (табл. 8.4).
По выводу VSEL производится выбор метода прекращения заряда. Если на нем высокий уровень — используется отключение батареи по достижении пикового напряжения. Если этот вывод не подключен, используется метод -ΔV заряда. Если же уровень на выв. DSEL низкий, то оба способа отключения батареи неактивны.
Установкой различных уровней на выводах ТМ1, ТМ2 программируются режимы работы таймеров, которые задают время быстрого заряда, время отключения по окончании заряда, время компенсирующего заряда (табл. 8.5).
По выводу ТСО задается максимальное значение температуры батареи, при которой происходит прекращение цикла заряда. Это так называемая температура отсечки (Temperature Cut-off). Если потенциал между выводами TS и SNS меньше напряжения на входе ТСО, процесс заряда — быстрого или выравнивающего — прекращается.
TS — вход для подключения термистора мониторинга температуры батареи.
ВАТ — вход контроля напряжения батареи относительно вывода SNS.
148
Схемотехника зарядных устройств
Схемотехника зарядных устройств
149
Таблица 8.4
Таблица 8. 5
Режим 1
|
Состояние зарядного устройства
|
LED1
|
LED2
|
DSEL соединен с общ. проводом (VSS)
|
Батарея не подключена
|
0
|
0
|
Ожидание быстрого заряда или состояние разряда перед зарядом
|
1
|
1
|
Быстрый заряд
|
0
|
1
|
Заряд завершен, состояние компенсирующего заряда
|
1
|
0
|
Режим 2
|
Состояние зарядного устройства
|
LED1
|
LED2
|
DSEL не подключен
|
Батарея не подключена, идет быстрый заряд, или он завершен
|
0
|
0
|
Ожидание быстрого заряда
|
1
|
0
|
Идет разряд
|
0
|
1
|
Идет компенсирующий заряд (струйная подзарядка)
|
1
|
1
|
Режим 3
|
Состояние зарядного устройства
|
LED1
|
LED2
|
DSEL соединен с полож. выв. ист. питания (VCC)
|
Батарея не подключена
|
0
|
0
|
Ожидание быстрого заряда или состояние разряда перед зарядом
|
0
|
1/8 с — 1
1/8 с - 0
|
Быстрый заряд
|
0
|
1
|
Заряд завершен, состояние компенсирующего заряда
|
1
|
0
|
Достарыңызбен бөлісу: |